Дата размещения диссертации на сайте организации:

16 марта 2015 г.

Ф.И.О.:

Рыльков Владимир Васильевич

Название диссертации:
«Электронный транспорт в Si структурах c малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении» на соискание ученой степени  доктора физико-математических наук  (01.04.10)
 

Диссертация В.В.Рылькова (файл в формате .pdf - 14 867 kB)

Название организации и научного подразделения, где выполнена диссертация (адрес сайта организации)

НИЦ «Курчатовский институт», Курчатовский НБИКС-Центр
сайт: http://www.nrcki.ru/,  лаб. Магнитонаноэлектроники


 

Научный руководитель:

 

нет

 
 Решение дисс.совета о приеме диссертации к защите: Протокол заседания совета от 24 апреля 2015 г.
Официальные оппоненты:

1.Сигов Александр Сергеевич
доктор физико-математических наук, спец. 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»; профессор, академик РАН;
Московский гос.технический ун-т радиотехники, электроники и автоматики; Президент.
Публикации:

1. 

Транспортные свойства СЭ туннельного перехода в бислойных структурах сегнетоэлектрик-манганит Физика твердого тела, т. 56, № 6, 2014, 1100-1105  Иванов М.С. Буряков А.М. Морозов В.Г.Мишина Е.Д.

2. 

Effect of  La doping on leakage currents of sol-gel PZT thin films Ferroelecrics, v.465, № 1, 2014, 54-59 Kotova N., Podgorny Yu., Seregin D., Vishnevsky A., Vorotilov K.

3. 

Simulation of negative differential resistivity in thin ferroelectric films Ferroelectrics, v.465, № 1, 2014, 28-35 Podgorny Yu., Vishnevsky A.,

Vorotilov K

 4..

Strong thermo-induced single and two-photon green luminescence in self-organized peptide microyubes Small, 10.1002, 2014, 1-5  Semin S., van Etteger A., Cattaneo L., Amdursky N., Kulyuk L., Lavrov S., Mishina E., Rosenman G., Rasing Th.

  5.

Growth and nonlinear optical properties of b-glycine crystals grown on Pt substrates Crystal Growth&Design, v.14, 2014, 2831-2837  Seyedhosseini E., Ivanov M., Bystrov V., Bdikin I., Zelenovsky P., Shur V., Kudryavtsev A., Mishina E., Kholkin А

  6.

Электродинамические свойства тонких пленок цирконата-титаната свинца вТГц частотном диапазоне Физика твердого тела, т. 56, № 11, 2014, 2135-2141 Командин Г.А., Породников О.Е., Исхакова Л.Д., Спектор И.Е.,Волков А.А., Воротилов К.А., Серегин Д.С.

  7..

Negative differential conductivity in thin ferroelectric films Appl. Phys. Lett., v. 105, № 18,  2014, 182904-1 -4 Podgorny Y., Vorotilov K.

  8..

Вольт-амперные характеристики пористых пленок ЦТС Нано- и микросистемная техника, т. 5, № 9, 2014, 3-12 Воротилов К.А.

Подгорный Ю.В. Серегин Д.С.

Вишневский А.

  9..

Наноинженерия в процессе изготовления сплавной структуры длинноволнового поверхностно-излучающего лазера с вер-тикальным каналом для радиофотоники Наноматериалы и наноструктуры – XXI век, №2, 2014, 33-46 Белкин М.Е.,

 

  10.

Проектирование многоэлементного теплового приемника ИК излучения Известия вузов: Электроника, т.20, № 3, 2015, 268-274 Певцов Е.Ф. , Шнякин А.А.

 

  11.

"Long-leg" magnetoelectric memory J. of  Appl. Phys., v.115, № 22 , 2014, 223909-

1 -8 Morosov. A.I.

  12.

Quick Formation of Micro- and Nano-domain Structures in Ferroelectrics by Microwave Ultrasound Interference Ferroelectrics, v. 476,  № 1, 2015, 59-65 Krutov V.V.,

Shchuka A.A.

  13.

Optical second harmonic generation microscopy for ferroic materials Ferroelectrics, v. 477,  № 1, 2015, N.E.Sherstyuk, E.D. Mishina, S.D.Lavrov, A.M.Buryakov, М..A. Marchenkova,

A.S. Elshin

  14.

Magnetoresistive memory with recording by electric field: is the weak ferromagnetism necessary? J. of  Magnetism and Magnetic Mat., v. 383, 2015, 242-245 Morosov A.I.

  15.

Краевые эффекты в генерации второй гармоники в низкоразмерных слоях дикалькогенидов переходных металлов Физика и техника полупроводников, т. 49, № 6, 2015, 810-816 Мишина Е.Д., Шерстюк Н.Э., Шестакова А.П., Лавров С.Д., Семин С.В., Митиоглу А., Ангел С., Кулюк Л.

 

2. Сибельдин Николай Николаевич

доктор физико-математических наук, спец. 01.04.10 «Физика полупроводников»,  член-корр. РАН; ФГБУН Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН; главный научный сотрудник лаб. Физики неоднородных систем.

Публикации:

1.  J. Szeszko, V.V. Belykh, A. Rudra, B. Dwir, N.N. Sibeldin, and E. Kapon.      Multiexciton dynamics in tailored band-gap quasi-one-dimensional systems. Phys. Rev. B 91, Iss. 24, 245304 (2015).

2.  Д.А. Мыльников, В.В. Белых, Н.Н. Сибельдин, В.Д. Кулаковский, К. Шнайдер, С. Хефлинг,

М. Камп А. Форхел. Динамика пространственной когерентности и распределения поляритонов по импульсам в полупроводниковом микрорезонаторе в режиме бозе-эйнштейновской конденсации. Письма в ЖЭТФ 101, вып. 8, 569 (2015).

3.  М.В. Кочиев, В.А. Цветков, Н.Н. Сибельдин. Кинетика накопления при фотовозбуждении и  релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Письма в ЖЭТФ 101, вып. 3, 200 (2015).  

4.  J. Tommila, V.V. Belykh, T.V. Hakkarainen, E. Heinonen, N. N. Sibeldin, A. Schramm, and M. Guina. Cavity-enhanced single photon emission from site-controlled In(Ga)As quantum dots 

fabricated using nanoimprint lithography. Appl. Phys. Lett. 104, Iss. 21, 213104 (2014).

5.  J. Szeszko, V.V. Belykh, A. Rudra, N.N. Sibeldin, and E. Kapon. Exciton localization and drift in tailored-potential quantum nanowires. Appl. Phys. Lett. 104, Iss. 26, 261905 (2014).

6.  V.V. Belykh, N.N. Sibeldin, V.D. Kulakovskii, M.M. Glazov, M.A. Semina, C. Schneider, S. Hofling,  M. Kamp, and A. Forchel. Coherence Expansion and Polariton Condensate Formation in a Semiconductor Microcavity. Phys. Rev. Lett. 110, Iss. 13, 137402 (2013).

7.  Т.М. Бурбаев, Д.С. Козырев, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков. Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах. Письма в ЖЭТФ 98, вып. 12, 926 (2013).

8.  V.V. Belykh, D.A. Mylnikov, N.N. Sibeldin. Dynamics of the transition from weak to strong exciton- photon coupling regime in a GaAs microcavity: angle resolved measurements.  Phys. Status Solidi C, 9, No 5, 1230 (2012).

9.  М.В. Кочиев, В.А. Цветков, Н.Н. Сибельдин. Накопление избытка одноименных носителей   заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs.

Письма в ЖЭТФ 95, вып. 9, 544 (2012).

10. Justyna Szeszko, Pascal Gallo, Alok Rudra, K. Fredrik Karlsson, Vasily V. Belykh,  Nikolai N. Sibeldin, and Eli Kapon. Exciton confinement and trapping dynamics in graded bandgap    quantum nanowires. Appl. Phys. Lett. 100, 211907 (2012).

11. Denis Shepel, Timur Burbaev, Nikolai Sibeldin, and Mikhail Skorikov. Quasi-two-dimensional   electron-hole liquid and biexcitons in SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures. Physica Status Solidi С, 8, No. 4, 1186 (2011).

12. V.V. Belykh, V.A. Tsvetkov, M.L. Skorikov, and N.N. Sibeldin. Nonlinear emission dynamics of a     GaAs microcavity with embedded quantum wells. J. Phys.: Condens. Matter 23, No 21, 215302   (2011).

13. Т.М. Бурбаев, М.Н. Гордеев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков, В.А. Цветков, Д.В. Шепель. Электронно-дырочная жидкость и экситонные  

молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si. Письма в ЖЭТФ 92, вып.5,  341 (2010).

 

3. Моисеев Константин Дмитриевич
доктор физико-математических наук, спец. 01.04.10 «Физика полупроводников», ФГБУН Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, ведущий научный сотрудник  лаб. Инфракрасной оптоэлектроники.
Публикации:

1.          M. Ahmetoglu (Afrailov), I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, “Electrical and optical characteristics of the InAs/InAs0.7Sb0.1P0.2 single heterojunction photodiodes for the spectral range 1.6–3.5 mm” // Infrared Phys. Technol. 56 (1), 15-18 (2012)

2.        K. Moiseev, M. Mikhailova, V. Lesnikov, V. Podolskii, Yu. Kudriavtsev, O. Koudriavtseva, A. Escobosa, “Hybrid Heterostructure With Nanolayer of Diluted GaIn(Mn)AsSb Compound in a Type II Broken-Gap Heterojunction” // J. Magn. Magn. Mat. 324, 3376-3378 (2012)

3.        M. Motyka, F. Janiak, G. Sęk, J. Misiewicz, K.D. Moiseev “Temperature dependence of the energy gap and spin-orbit splitting in a narrow-gap InGaAsSb solid solution” // Appl. Phys Lett. 100, 211906 (2012)

4.        N.A. Bert, V.N. Nevedomsky, P.A. Dement`ev, K.D. Moiseev, “TEM-study of free-standing self-assembled InSb quantum dots grown on InAs-rich surface” // Appl. Surf. Sci. 267, 77-80 (2013)

5.        P.A. Dement`ev, K.D. Moiseev, “Electronic properties of a single heterojunction in InSb/InAs quantum dot system”// Appl. Surf. Sci. 267, 177-180 (2013)

6.        K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky, “Uniform InSb quantum dots buried in narrow-gap InAs(Sb,P) matrix” // Thin Solid Films 543, 74-77 (2013)

7.        М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев «Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs» // ФТП 47 (01), 30-35 (2013)

8.        В.В. Романов, П.А. Дементьев, К.Д. Моисеев «Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений» // ФТП 47 (03), 420-425 (2013)

9.        Я.А. Пархоменко, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев "Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs" // ФТП 47 (11), 1536-1541 (2013)

10.    В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев "Эпитаксиальные слои InAsSbP с предельным содержанием фосфора, изоморфные с подложкой InAs" // ФТП 48 (06), 753-758 (2014)

11.    В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев "Высокотемпературная интерфейсная электролюминесценция в разъединенных гетероструктурах II рода на основе квантовых штрихов InSb в матрице n-InAs" // ФТП 48 (07), 938-943 (2014)

12.    M. Motyka, M. Dyksik, F. Janiak, K.D. Moiseev, J. Misiewicz, "The spin-orbit splitting band in InGaAsSb alloys lattice-matched to InAs" // J. Phys. D-Appl. Phys. 47, 285102 (2014)

13.    Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza, S. Gallardo-Hernandez, M. Ramirez-Lopez, M. Lopez-Lopez, V. Nevedomsky, K. Moiseev, "Reconstruction of original indium distribution in InGaAs quantum wells from experimental SIMS depth profiles" // Physica B 453, 53-58 (2014)

14.        K. Moiseev, V. Romanov, P. Dement’ev, E. Ivanov, “Nanoheterostructures with InSb quantum dashes inserted in the InAs unipolar matrix” // J. Cryst. Growth 414, 177-180 (2015)

15.        T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavstev, S. Gallardo, M. Lopez, "Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese" // Low Temp. Phys. 41, 207-209 (2015).

 

 

 Отзыв официального оппонента А.С.Сигова
Отзыв официального оппонента Н.Н.Сибельдина
Отзыв официального оппонента К.Д.Моисеева

Ведущая организация:

ОАО «Научно-производственное объединение «Орион», государственный  научный центр

Адрес: 111123, Россия, Москва

Шоссе Энтузиастов, д.46/2  

Адрес сайта: http://orion-ir.ru

Телефон: (499) 374 4900

E-mail:  orion @orion-ir.ru

Публикации:

  1. МЕХАНИЗМ РЕЛАКСАЦИИ ТОКА В ПРИМЕСНЫХ ФОТОРЕЗИСТОРАХ НА КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ГАЛЛИЕМ ИЛИ БОРОМ, ПРИ НИЗКОЙ ОБЛУЧЁННОСТИ И ГЕЛИЕВЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Залетаев Н.Б.

Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 3. С. 273-280.

2.ДЕТЕКТОРЫ КОРОТКОВОЛНО-

ВОГО ИК-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ InGaAs (ОБЗОР)

Бурлаков И.Д., Гринченко Л.Я., Дирочка А.И., Залетаев Н.Б.

Успехи прикладной физики. 2014. Т. 2. № 2. С. 131-162.

3. МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЕ ФОТОДИОДЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/InP

Андреев Д.С., Гришина Т.Н., Залетаев Н.Б., Тришенков М.А., Чинарева И.В.

Прикладная физика. 2012. № 4. С. 86-90.

4. АНАЛИТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДЛЯ РАСЧЕТА ПАРАМЕТРОВ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Патрашин А.И., Бурлаков И.Д., Корнеева М.Д., Шабаров В.В.

Прикладная физика. 2014. № 1. С. 38-46.

5. ИК-ФОТОДИОД С ВЫСОКИМ ОТНОШЕНИЕМ СИГНАЛ/ШУМ И СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ОТНОШЕНИЯ СИГНАЛ/ШУМ В ИК-ФОТОДИОДЕ

Селяков А.Ю., Бурлаков И.Д.

 патент на изобретение  2473151 13.09.2011

6. ИССЛЕДОВАНИЕ КОРРЕЛЯЦИИ СЛУЧАЙНЫХ ПОЛЕЙ КОНЦЕНТРАЦИЙ И ТОКОВ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ИК-ФОТОДИОДАХ МЕТОДОМ ЛАНЖЕВЕНА

Селяков А.Ю., Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Фадеев В.В., Шабаров В.В.

Прикладная физика. 2013. № 6. С. 25-36.

7. МАТРИЦЫ p-i-n-ФОТОДИОДОВ ИЗ AlGaN УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА

Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Филачев А.М., Сало В.В., Яковлева Н.И.

Прикладная физика. 2013. № 6. С. 54-60.

8. КОРРЕЛЯЦИЯ СЛУЧАЙНЫХ ПОЛЕЙ КОНЦЕНТРАЦИЙ И ТОКОВ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ИК-ФОТОДИОДАХ

Селяков А.Ю., Бурлаков И.Д., Шабаров В.В.

Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 4. С. 477-487.

9. ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ФОРМАТА 6×576 ЭЛЕМЕНТОВ НА СПЕКТРАЛЬНЫЙ ДИАПАЗОН 8-12 МКМ

Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Филачёв А.М., Яковлева Н.И.

Прикладная физика. 2012. № 3. С. 61-65.

10. СПОСОБ СНИЖЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ ФЛУКТУАЦИЙ ДИФФУЗИОННОГО ТОКА ФОТОДИОДА В ОБЛАСТИ ВЫСОКИХ ЧАСТОТ

Селяков А.Ю., Бурлаков И.Д., Пономаренко В.П., Филачев А.М.

патент на изобретение RUS 2435252 28.09.2010

11. ГЕНЕРАЦИЯ ВТОРОЙ ОПТИЧЕСКОЙ ГАРМОНИКИ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-РТУТИ

Бурлаков И.Д., Кашуба А.С., Демин А.В., Заботнов С.В.

Прикладная физика. 2011. № 2. С. 103-106.

12. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИК-ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ (ЧАСТЬ 1)

Корнеева М.Д., Пономаренко В.П., Филачёв А.М.

Прикладная физика. 2011. № 2. С. 47-60.

13. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ИК-ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ (ЧАСТЬ 2)*

Корнеева М.Д., Пономаренко В.П., Филачёв А.М.

Прикладная физика. 2011. № 3. С. 82-90.

14.ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ФОТОЭЛЕКТРОНИКА. ФОТОДИОДЫ

Филачев А.М.
учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. Москва, 2011.

 

 

 Отзыв ведущей организации
Отзывы на автореферат и диссертацию:


-  Отзыв на автореферат  из ФГАО ВПО "Уральский федаральный ун-т Им. Б.Н.Ельцина" от д.ф-м.н. А.В.Германенко.

- Отзыв на автореферат из ФГБУН Физико-технического ин-та им. А.Ф. Иоффе РАН:

 - от д.ф-м.н., проф. И.Н.Яссиевич;

-  от д.ф-м.н. Ю.Г.Кусраева.

- Отзыв на автореферат из МГУ им.

М.В.Ломоносова

- от д.ф-м.н. И.П.Звягина.
- от д.ф-м.н., проф. В.Н.Прудникова

- Отзыв на автореферат из ФГБУН Ин-та физики микроструктур РАН  от д.ф-м.н. Б.А.Андреева

- Отзыв на автореферат  из ФГБУН Ин-та физики металлов УрО РАН от д.ф-м.н. Г.М.Минькова

 

 

 

 Отзыв А.В.Германенко
Отзыв И.Н.Яссиевича
Отзыв Ю.Г.Кусраева
Отзыв И.П.Звягина
Отзыв В.Н.Прудникова
Отзыв Б.А.Андреева
Отзыв Г.М.Минькова
 

Дата размещения  объявления о защите и автореферата диссертации на сайте организации:

 18 мая 2015 г.
Объявление о защите диссертации

Рыльков Владимир Васильевич

физико-математические науки

Специальность: 01.4.10

Шифр совета: Д 002.231.01

Адрес: 125009, Москва, ул.Моховая, д.11, корп.7

(ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

Тел: 8 (495) 629 3309;

e-mail: don.@cplire.ru
Дата защиты: 04 сентября  2015 г., в 10-00
Автореферат: Автореферат В.В.Рылькова
Решение дисс.совета о присуждении ученой степени доктора физико-математических наук: Протокол заседания совета
Заключение диссертационного совета