Дата размещения диссертации на сайте организации:

5 июня 2015 г.

Ф.И.О.:

Клочков Алексей Николаевич

Название диссертации:
«Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP» на соискание ученой степени  кандидата физико-математических наук  (01.04.10)

Диссертация А.Н.Клочкова (файл в формате .pdf - 5 786 kB)

Название организации и научного подразделения, где выполнена диссертация (адрес сайта организации)

Федеральное государственное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), сайт: http://isvch.ru/; Лаборатория №101 «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5»

 

Научный руководитель:
- Галиев Галиб Бариевич
, доктор физ-мат. наук, зав. лаб. № 101 «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» ФГБУН Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН.

 

Отзыв  научного руководителя

 

Решение дисс.совета о приеме диссертации к защите: Протокол заседания совета
Явочный лист членов дисс. совета
Официальные оппоненты:
 

Капаев Владимир Васильевич, доктор физико-математических наук, (спец. 01.04.21 – Лазерная физика).
ФГБУН Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН,  главный научный сотрудник Отделения физики твердого тела

Публикации:

1. Алещенко Ю.А., Капаев В.В., Кочиев М.В., Садофьев Ю.Г., Цветков В.А. “Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров”, Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2014. Т. 99. № 3-4. С. 207-212.    

2. Савинов С.А., Мурзин В.Н., Капаев В.В., Карузский А.Л., Пересторонин А.В., Егоркин В.И., Шмелев С.С., Апостолова Е.М., Галиев Г.Б., Горбацевич А.А. “Исследование быстродействия электронных процессов и влияния внешнего СВЧ поля на стационарный ток в одноямных и двухъямных резонансно-туннельных структурах на основе InGaAs/AlAs/InP”, Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ. 2014. Т. 3. № 2. С. 210.    
 

3. Капаев В.В., Копаев Ю.В., Савинов С.А., Мурзин В.Н. “Высокочастотный отклик и возможности перестраиваемого по частоте терагерцевого узкополосного усиления в резонансно-туннельных наноструктурах”, Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2013. Т. 143. № 3. С. 569-589. 

4.         Казаков И.П., Базалевский М.А., Капаев В.В., Цехош В.И. “Диагностика гетероструктур резонансно-туннельных диодов в процессе эпитаксиального роста. II. Методики контроля на основе метода отражения”, Краткие сообщения по физике Физического института им. П.Н. Лебедева Российской Академии Наук. 2013. № 3. С. 22-30.   
    

5.         Белявский В.И., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Михаилян Д.И. “Симметризация кулоновского спаривающего потенциала электрон-фононным взаимодействием”, Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 142. № 8. С. 294-304.  
 

6. Aleshchenko Yu.A., Kapaev V.V., Kopaev Yu.V. “Unipolar lasers on the structures with variable dimensionality of electronic states”, Semiconductor Science and Technology. 2011. Т. 26. № 1. С. 014021.     
 

7. Егоркин В.И., Журавлёв М.Н., Капаев В.В. “Моделирование электронного транспорта в туннельно-резонансных гетероструктурах GaN/AlGaN”, Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 2 (88). С. 3-8.   

Кытин Владимир Геннадьевич, Кандидат физико-математических наук, (спец. 01.04.09 – Физика низких температур), МГУ им. М.В. Ломоносова,  доцент кафедры физики низких температур и сверхпроводимости Физического факультета

Публикации:

1. Kytin V.G., Kulbachinskii V.A., Reukova O.V., Galperin Y.M., Johansen T.H., Diplas S., Ulyashin A.G. “Conducting properties of In2O3:Sn thin films at low temperatures”, Applied Physics A: Materials Science & Processing.
2014. Т. 114. № 3. С. 957-964. 

2. Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Реукова О.В., Бурова Л.И., Кауль А.Р., Ульяшин А.Г. “Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия”, Физика низких температур. 2015. Т. 41. № 2. С. 153-164.
 

3. Blank V., Buga S., Bormashov V., Denisov V., Kirichenko A., Kuznetsov M., Tarelkin S., Terentiev S., Kulbachinskii V., Kytin V., Kytin G. “Weak superconductivity in the surface layer of a bulk single-crystal boron-doped diamond”, Europhysics Letters. 2014. Т. 108. № 6. С. 67014.
 

4. Константинова Е.А., Ле Н.Т., Кашкаров П.К., Зайцева А.А., Кытин В.Г. “Исследование фотоэлектронных свойств легированного азотом и углеродом нанокристаллического диоксида титана”, Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. 2014. № 2. С. 78-82.
 

5. Kytin V.G., Reukova O.V., Kulbachinskii V.A., Burova L.I., Kaul A.R., Ulyashin A.G. “Features of the hopping conductivity in gallium and cobalt doped ZNO thin films”, Journal of Physics: Conference Series. 2014. Т. 568. С. 052015.
 

6. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Kudryashov A.A., Lunin R.A. “Influence of Sn on the thermoelectric properties of (BiXSb1-X)2Te3 single crystals”, Journal of Solid State Chemistry. 2012. Т. 193. С. 83-88.
 

7. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Popov M.Y., Buga S.G., Stepanov P.B., Blank V.D. “Composites of Bi2–xSbxTe3 nanocrystals and fullerene molecules for thermoelectricity”, Journal of Solid State Chemistry. 2012. Т. 193. С. 64-70.
 

8. Burova L.I., Kaul A.R., Perov N.S., Semisalova A.S., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Roddatis V.V., Vasiliev A.L. “Effect of the nanostructure on room temperature ferromagnetism and resistivity of undoped ZnO thinfilms grown by chemical vapor deposition”, Thin Solid Films. 2012. Т. 520. № 14. С. 4580-4585.

 

Отзыв официального оппонента В.В.Капаева
Отзыв официального оппонента В.Г.Кытина
 

 

Ведущая организация:

Федеральное гос. бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники»,

Адрес:   119454, г. Москва, проспект Вернадского, д. 78

Адрес сайта: https://www.mirea.ru/

 

Публикации:

1. Ильин Н.А., Никонорова Т.В., Шерстюк Н.Э., Мишина Е.Д. “Оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе монокристаллического GaAs”, Нано- и микросистемная техника. 2011. № 3. С. 17-20.
 

2. Зацепин Д.А., Сигов А.С., Курмаев Э.З. “Электронная структура ионно-модифицированных материалов. Часть 1: полупроводниковые системы”, Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век. 2012. № 2. С. 12-25
 

3. Мишина Е.Д., Шерстюк Н.Э., Ильин Н.А., Лавров С.Д., Буш А.А., Буряков А.М., Белов А.Н., Пятилова О.В., Назаркина Ю.В., Силибин М.В. “Эффекты усиления люминесценции в массивах нанопроводов на основе темплатов пористого оксида алюминия”, Успехи современной радиоэлектроники. 2013. № 9. С. 049-054.
 

4. Wang S.-L., Yu J.-W., Yeh P.-C., Kuo H.-W., Peng L.-H., Fedyanin A.A., Mishina E.D., Sigov A.S. “High mobility thin film transistors with indium oxide/gallium oxide bi-layer structures”, Applied Physics Letters. 2012. Т. 100. № 6. С. 063506.
 

5. Семин С.В., Шерстюк Н.Э., Мишина Е.Д., Герман К., Кулюк Л., Расинг Т., Пенг Л.Х. “Картирование усиления двухфотонной люминесценции в микроструктурах оксида цинка”, Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 3. С. 376-378.
 

6. Luk'Yanchuk B.S., Miroshnichenko A.E., Kivshar Y.S., Tribelsky M.I., Khokhlov A.R. “Paradoxes in laser heating of plasmonic nanoparticles”, New Journal of Physics. 2012. Т. 14. С. 093022.
 

7. Kitaeva G.Kh., Kovalev S.P., Naumova I.I., Tuchak A.N., Yakunin P.V., Huang Y.-C., Mishina E.D., Sigov A.S. “Terahertz wave generation in periodically poled lithium niobate crystals fabricated using two alternative techniques”, Laser Physics Letters. 2013. Т. 10. № 5. С. 055404.
 

8. Handelman A., Khatchatouriants A., Rosenberg Y., Rosenman G., Lavrov S., Kudryavtsev A., Mishina E. “Nonlinear optical bioinspired peptide nanostructures”, Advanced Optical Materials. 2013. Т. 1. № 11. С. 875-884.
 

9. Мишина Е.Д., Семин С.В., Швырков К.В., Кудрявцев А.В., Ильин Н.А., Шерстюк Н.Э., Мухортов В.М. “Нелинейно-оптическая микроскопия и спектроскопия сегнетоэлектрических и мультиферроидных материалов”, Физика твердого тела. 2012. Т. 54. № 5. С. 836-842.
 

10. Firsova N., Mishina E.D., Sigov A.S., Senkevich S.V., Pronin I.P., Kholkin A., Bdikin I., Yuzyuk Y.I “Femtosecond infrared laser annealing of pzt films on a metal substrate”, Ferroelectrics. 2012. Т. 433. № 1. С. 164-169.


 

Отзыв ведущей организации

Отзывы на автореферат и диссертацию:

- ФГАОУ ВПО НИТУ«МИСиС» от д.ф-м.н., проф. А.Н.Ковалева .

- НИИ полупроводниковых приборов от д.т.н., нач.  лаб.  Г.А.Айзенштата

- НИИ Физических проблем от д.ф-м.н. Э.А.Ильичева
- ФИ им. П.Н.Лебедева РАН от  д.ф-м.н. И.П.Казакова

 

 

Отзыв А.Н.Ковалева

Отзыв Г.А.Айзенштата
Отзыв Э.А.Ильичева

Отзыв И.П.Казакова

Дата размещения  объявления о защите и автореферата диссертации на сайте организации: 16 июля 2015 г.
Объявление о защите диссертации

Клочков Алексей Николаевич

физико-математические науки

Специальность: 01.04.10

Шифр совета: Д 002.231.01

Адрес: 125009, Москва, ул.Моховая, д.11, корп.7

(ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН)

Тел: 8 (495) 629 3309;

e-mail: don.@cplire.ru

Дата защиты: «09» октября  2015 г., в 10-00.

 

Автореферат: Автореферат А.Н.Клочкова
Решение дисс.совета о присуждении ученой степени кандидата физико-математических наук: Протокол заседания совета
Заключение диссертационного совета