Базовые кафедры: Кафедра (филиал) физики твердого тела

12.  Базовая кафедра Филиал  кафедры физики твердого тела 
   Место нахождения:  СФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН

 Данные по учреждению РАН:

Ф.И.О руководителя, ученая степень        Яфаров Р.К., д.т.н.

Кол-во привлеченных научных сотрудников   2008 - 4 ,  2009- 1

Кол-во членов РАН (ак., чл.-корр. РАН)              0

Кол-во студентов, проходящих обучение      2008 – 59,      2009- 14
 

Данные по Вузу-партнеру:

Вуз: Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышенвского

Факультет: Нано- и биомедицинских технологий

Кафедра: Физика твердого тела

Кол-во привлеченных преподавателей  1

Направление подготовки 210601 «Нанотехнология в электронике» 
Квалификация специалиста: физик 
Срок обучения 4 и 5 курс  
Правовой стату: Приказ №11 о.д. об организации филиала кафедры физики твердого тела в СФИРЭ РАН от 24.04.06 г. 
Учебные программы по спецкурсам:

1, Учебная технологическая практика

Факультет нано- и биомедицинских технологий

Курс 4; Группа 441; Количество студентов 7

Специальность  210601 «Нанотехнология в электронике»

Сроки практики 30.06.09 г. - 18.07.09 г.

Содержание практики:

а) технологические процессы получения  композитных наноматериалов и сверхрешеток с квантовыми точками на основе различных аллотропных фаз углерода, кремния и его соединений  в плазме микроволнового газового разряда низкого давления;

б) технологические методики получения атомно-чистых поверхностей пластин кремния различных кристаллографических ориентаций с использованием низкоэнергетичной химически активной плазмы СВЧ газового разряда;

в) методы зондовой диагностики поверхности твердого тела (атомно силовая, туннельная и лазерно –эллипсометрическая микроскопия);

г) экспериментальные методики исследования механизмов переноса носителей в высокоомных полупроводниковых пленочных структурах содержащих и несодержащих квантовые точки (ВАХ, энергии активации и др.);

д) устройства, принципы построения и технологические приемы создания солнечных элементов на основе а-Si: H, а также оптоэлектронных устройств на основе явления электролюминисцеции  и одноэлектронного транспорта в нанокомпозитных пленочных структурах на основе гидрогенезированного карбида кремния с включениями кремниевых нанокластеров.

2.  Учебный практикум по курсу  «Физические основы наноэлектроники»

Факультет нано- и биомедицинских технологий

Курс 5; Группа 51; Количество студентов 7

Специальность:  210601«Нанотехнология в электронике»

Сроки: 10 сентября 2009 г. – 25 декабря 2009 г.

Название курса: Физические основы наноэлектроники

Содержание курса:

Свойства двумерного электронного газа в МДП структурах.

Полупроводниковые сверхрешетки.

Энергетические спектры электронов в квантовых ямах.

Электронные структуры легированных сверхрешеток.

Оптические переходы и явления переноса в сверхрешетках.

Квантовые проводники и квантовые точки.

Пористый кремний

         Количество лекционных часов - 32;

        Количество лабораторно-практических занятий -32

         Преподаватели: д.т.н. Яфаров Р.К., к.т.н. Суздальцев С.Ю.

Студентами 2-5 курсов СГУ им. Н.Г. Чернышевского по тематике лаб. «Электронной ионной субмикронной технологии»  СФ ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН выполнены 3  курсовых работы.

По материалам исследований, выполненных по тематике лаборатории совместно с молодыми учеными, студентами и аспирантами опубликовано 4 статьи в российских реферируемых журналах, 1 тезисов докладов.

26 студентов кафедры физики твердого тела СГУ им. Н.Г. Чернышевского приняли участие в работе конференции «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» (7-9 сентября 2009, Саратов) и прошли учебную ознакомительную практику.

 Научно-образовательный центр 

« Наносистемная техника и наноматериалы»

        Место нахождения: СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН

Правовой статус: Договор о создании НОЦ №1 от 15.01.2006 (бессрочный).

В состав НОЦ входят базовые кафедры и филиалы кафедр Саратовского государственного университета им.Н.Г. Чернышевского при СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН.

1. Базовая кафедра «Динамического моделирования и биомедицинской  инженерии»

2. Базовая кафедра «Динамических систем»

3. Филиал кафедры «Вычислительной физики и автоматизации научных исследований»

4. Филиал  кафедры «Физики твердого тела»

В 2007 году на базе указанного НОЦ и двусторонних договоров между Саратовским государственным университетом им Н.Г. Чернышевского (СГУ), Саратовским государственным техническим университетом (СГТУ) и Саратовским филиалом Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН был создан Учебно-научный центр (УНЦ) (Приказ СФ ИРЭ РАН №8 от 27.03.2007), в который вошли еще два филиала кафедр СГТУ.

1. Филиал кафедры «Электронные приборы и устройства»

2. Филиал кафедры «Радиотехника».

Отчеты о деятельности вышеуказанных базовых кафедр и филиалов кафедр приведены в Приложении2

В целом следует отметить, что деятельность УНЦ при Саратовском филиале ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН способствует претворению в жизнь концепции вовлечения молодежи в научную инновационную деятельность. За 2009 год совместно с молодыми учеными опубликовано 1 учебное пособие, 51 статья в российских и зарубежных изданиях и 80 тезисов докладов на конференциях различного  уровня, 2 патента. Привлечение молодежи к научной деятельности позволяет решать проблему омоложения научного коллектива СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН. В настоящее время из 98 общего числа сотрудников СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН, в том числе 49 научных сотрудников, 27 сотрудников являются молодыми учеными до 35 лет. Молодые ученые помимо научной деятельности также активно занимаются педагогической работой на филиалах кафедр и базовых кафедр, читая лекции и проводя практические занятия со студентами. В рамках УНЦ педагогической работой занимаются 6 молодых ученых – кандидатов наук. Два молодых ученых работают на внебюджетных ставках и оплачиваются из средств Программы «Организация и финансирование работ молодых научных работников научных организаций РАН по приоритетным направлениям фундаментальных исследований» (в рамках Программы целевых расходов Президиума РАН «Поддержка мероприятий Комиссии РАН по работе с научной молодежью). Молодые ученые СФ ИРЭ РАН в 2009 году получали поддержку своих исследований из фонда «Династия» (программы молодые доктора наук и студенты), Фонда содействия отечественной науки (программа молодые кандидаты наук). В СФ ИРЭ РАН в настоящее время проходят обучение 6 очных аспирантов ИРЭ РАН. Работа аспиранта Е. Павлова поддержана программой УМНИК. В 2009 году при активном участии молодых ученых УНЦ СФ ИРЭ РАН, СГУ и СГТУ была проведена ежегодная IV Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». В этой конференции приняло участие 100 человек, из которых 80 человек были молодыми учеными,  аспирантами и студентами. В 2009 году в СФ ИРЭ РАН организован Совет молодых ученых, который в настоящее время занимается организационной деятельностью и выработкой направлений своего развития.

В 2009 году деятельность нескольких базовых кафедр и филиалов кафедр, входящих в УНЦ СФ ИРЭ им.В.А.Котельникова была поддержана в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» 2009-2013 гг. по лоту «Проведение научных исследований коллективами научно-образовательных центров в области создания электронной компонентной базы», по теме: «Разработка электронных компонент для генерации, стабилизации и управления электромагнитным излучением СВЧ диапазона» (шифр заявки «2009-1.1-219-005-027») Госконтракт № 02.740.11.0014 от 10.06.2009.

Возможные кандидатуры на соискание премии Президента РФ в области науки и инноваций для молодых ученых  на следующий 2010 год:

1.Смирнов Дмитрий Алексеевич, дата рождения 15.10.1977, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник  СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН
Название работы: Диагностика взаимодействия сложных систем по временным рядам: методы и их приложения в климатологии и нейрофизиологии.

2. Теплых Андрей Алексеевич дата рождения 09.08.1981, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник  СФ ИРЭ им.В.А. Котельникова РАН
Название работы: Разработка акустических датчиков нового типа с использованием цилиндрических звукопроводов и наноматериалов. 

с 07.04.2016